1) 現有各類(lèi)集成電路測試程序及適配器
2) 可測試從消費類(lèi)芯片到復雜的SoC芯片(包括:數字、模擬、混合信號)
3) 可測試篩選各種大功率集成電路,電壓最高2000V,電流最大100A。
4) 可測通用A/D轉換器、D/A轉換器、模擬開(kāi)關(guān)、運算放大器(含功率運放)、電壓比較器、電源管理器件(電壓調整器、多端智能穩壓器、精密電壓基準、脈寬調制器PWM、DC轉換控制電路、電源監控電路等)、數字電位計、驅動(dòng)電路、收發(fā)器、壓頻/頻壓轉換器、采樣保持器、電壓跟隨器、時(shí)基電路、達林頓陣列等模擬與混合類(lèi)器件的交、直流參數測試
1) 可測試二極管、三極管、可控硅、場(chǎng)效應管、絕緣柵雙極三極管(IGBT)、達林頓矩陣、光電耦合器和固態(tài)繼電器等類(lèi)型器件。測試項目近百個(gè),除溫度、高頻等參數外,涵蓋了這幾類(lèi)器件在國標上列出的絕大部分測試參數。
2) 可測MOSFET與IGBT的動(dòng)態(tài)參數如開(kāi)關(guān)特性、短路特性、二極管的反向恢復特性;額定測試電流不超過(guò) 300A;測試電壓不超過(guò) 4000V。
3) 可測FET/IGBT/Diode(非鉗位)和雙極性器件(帶鉗位)的雪崩擊穿特性(電壓/能量等)。
l 模塊類(lèi):
可測各種電源以及定制混合集成電路模塊等
可測電磁繼電器、固態(tài)繼電器(包括智能功率開(kāi)關(guān))、光電耦合器等
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