摘要在半導體設計、制造、封裝中的各個(gè)環(huán)節都要進(jìn)行反復多次的檢測、測試以確保產(chǎn)品質(zhì)量,從而研發(fā)出符合系統...
SiC相對于Si具有擊穿電壓高(10倍于Si),寬的帶隙(3倍于Si),高的熱導率(3倍于Si),高的載流子遷移率(2...
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